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        SKY-P40R02(8”x1)

        納設(shè)智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)外延生長,獨(dú)創(chuàng)的反應(yīng)腔室設(shè)計配備可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng),顯著提升了外延片的均勻性,同時降低外延缺陷率。

        <strong>反應(yīng)腔室</strong> 石墨腔室配件數(shù)量少,結(jié)構(gòu)更簡化;? 腔室進(jìn)氣/傳片方式獨(dú)特,減少外延掉落物。 <strong>尾氣系統(tǒng)</strong> 維護(hù)僅打磨平板石墨件,方便配件的清理操作;? 維護(hù)無需分離傳輸腔,只打開腔室后端法蘭,維護(hù)簡易。 <strong>氣體系統(tǒng)</strong> 5區(qū)進(jìn)氣,乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨(dú)立控制;? 各區(qū)碳硅比獨(dú)立控制,調(diào)整更靈活。 <strong>晶圓控制</strong> 工藝中晶圓轉(zhuǎn)速可精確調(diào)控;? 工藝中晶圓高度位置精確調(diào)控。



        關(guān)鍵詞:


        產(chǎn)品詳情


        SKY-P40R02(8”x1)
        納設(shè)智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)外延生長,獨(dú)創(chuàng)的反應(yīng)腔室設(shè)計配備可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng),顯著提升了外延片的均勻性,同時降低外延缺陷率。

        反應(yīng)腔室
        石墨腔室配件數(shù)量少,結(jié)構(gòu)更簡化; 
        腔室進(jìn)氣/傳片方式獨(dú)特,減少外延掉落物。
        尾氣系統(tǒng)
        維護(hù)僅打磨平板石墨件,方便配件的清理操作; 
        維護(hù)無需分離傳輸腔,只打開腔室后端法蘭,維護(hù)簡易。
        氣體系統(tǒng)
        5區(qū)進(jìn)氣,乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨(dú)立控制; 
        各區(qū)碳硅比獨(dú)立控制,調(diào)整更靈活。
        晶圓控制
        工藝中晶圓轉(zhuǎn)速可精確調(diào)控; 
        工藝中晶圓高度位置精確調(diào)控。

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        <strong>反應(yīng)腔室</strong> 石墨腔室配件數(shù)量少,結(jié)構(gòu)更簡化;? 腔室進(jìn)氣/傳片方式獨(dú)特,減少外延掉落物。 <strong>尾氣系統(tǒng)</strong> 維護(hù)僅打磨平板石墨件,方便配件的清理操作;? 維護(hù)無需分離傳輸腔,只打開腔室后端法蘭,維護(hù)簡易。 <strong>氣體系統(tǒng)</strong> 5區(qū)進(jìn)氣,乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨(dú)立控制;? 各區(qū)碳硅比獨(dú)立控制,調(diào)整更靈活。 <strong>晶圓控制</strong> 工藝中晶圓轉(zhuǎn)速可精確調(diào)控;? 工藝中晶圓高度位置精確調(diào)控。

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